4-1- مقدمه.. 39
4-2- تحلیل پاسخ فرکانسی.. 39
4-2-1-   ضربه ولتاژ پایین.. 40
4-2-2-   تحلیل جاروب پاسخ فرکانسی.. 40
4-3- تابع تبدیل.. 41
4-4- آرایشهای مختلف تست پاسخ فرکانسی.. 42
4-4-1-   تست نوع اول.. 42
4-4-2-   تست نوع دوم.. 42
4-4-3-   تست نوع سوم.. 43
4-4-4-   تست نوع چهارم.. 43
4-5- تحلیل مداری مدل متمرکز.. 43
4-5-1-   مدل متغیر حالت.. 46
4-5-2-   تعیین تابع تبدیل.. 47
5-               آنالیز خطا.. 49
5-1- مقدمه.. 49
5-2- پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در حالت سالم.. 49
5-2-1-        تست نوع اول برای سیمپیچ فشارقوی.. 49
5-2-2-        تست نوع سوم.. 50
5-3- روش تحلیل اندازهگیریهای FRA.. 51
5-3-1-   رنج فرکانسی پایین.. 51
5-3-2-   رنج فرکانسی متوسط.. 51
5-3-3-   رنج فرکانسی بالا.. 51
5-4- آنالیز حساسیت.. 52
5-4-1-   تغییر فاصله بین دیسکی.. 52
5-4-2-   اثر تغییرات شعاع.. 54
5-5- اثر عیوب بر نحوه تغییر پاسخ فرکانسی.. 56
5-5-1-   تغییرات شعاعی.. 57
5-5-2-   خطای جابهجایی محوری.. 59
5-5-3-   تغییر فضای بین دیسکها.. 60
5-5-4-   خطای اتصال حلقه.. 61
5-6- دیاگرام ولتاژ- جریان.. 62
6-                  الگوریتم های طبقه بندی.. 65
6-1- مقدمه.. 65
6-2- انتخاب سیستم خبره.. 66
6-2-1-   شبکههای عصبی.. 66
6-2-2-   درخت تصمیم.. 67
6-3-       شاخصها.. 72
6-3-1-   شاخصهای آماری.. 73
6-3-2-   شاخصهای سیگنالی.. 74
6-4- پیادهسازی درخت تصمیم به منظور طبقهبندی خطا در ترانسفورماتور.. 76
6-4-1-   سناریو اول.. 77
6-4-2-        سناریو دوم.. 82
7-               نتیجه‌گیری و پیشنهادات.. 88
7-1- نتیجه‌گیری.. 88
7-2- پیشنهادات.. 90
پیوست الف- وابستگی نفوذپذیری مغناطیسی با فرکانس.. 91
پیوست ب- محاسبه ظرفیت خازنی سری در سیمپیج دیسکی.. 93
ب- 1: ظرفیت خازنی معادل دور به دور در یک دیسک.. 93
ب- 2: ظرفیت خازنی معادل دیسک به دیسک.. 93
پیوست ج- تحلیل مداری مدل متمرکز.. 95
ج-1- معادله دیفرانسیل برای ظرفیت خازنی.. 95
ج-2- معادله دیفرانسیل برای اندوکتانس.. 95
ج-3- محاسبات ولتاژی و جریانی.. 96
ج-4- تعریف ماتریسهای عناصر مداری با توجه به درخت.. 97
پیوست د- آشنایی با عملکرد درخت تصمیم.. 101
پیوست ی- مشخصات فنی ترانسفورماتور.. 106
فهرست علایم و نشانه‌ها
عنوان                                 علامت اختصاری
شار ماکزیمم
ولتاژ اعمالی به سیم­پیچ
فرکانس
تعداد دورهای سیم­پیچ فشار قوی
تعداد دورهای سیم­پیچ فشارضعیف
نیروی الکترومغناطیسی
طول مسیر مغناطیسی
جریان سیم­پیچ
چگالی شار
مقاومت سری فشارقوی
مقاومت سری فشارضعیف
اندوکتانس مرکب سری فشارقوی
اندوکتانس مرکب سری فشارقوی
ظرفیت خازنی سری سیم­پیچ فشارقوی
ظرفیت خازنی سری سیم­پیچ فشارضعیف
ظرفیت خازنی موازی سیم­پیچ فشارقوی با زمین
ظرفیت خازنی موازی سیم­پیچ فشارضعیف با زمین
ظرفیت خازنی بین سیم­پیچ­های فشارقوی X , Y
ظرفیت خازنی بین سیم­پیچ­های فشارقویY , Z
رلوکتانس مدارمغناطیسی
سطح مقطع متوسط هسته
ضریب نفوذپذیری مغناطیسی هسته
اندوکتانس فاز X
رلوکتانس بخش مغناطیسی
بخش مغناطیسی اندوکتانس فاز X
طول مسیر مغناطیسی ستون هسته
طول مسیر مغناطیسی یوغ هسته
اندوکتانس نشتی کلی فاز X
اندوکتانس کل(مغناطیسی و نشتی) فاز X
ضریب پراکندگی
ثابت نسبت مقیاس
نفوذپذیری مختلط مغناطیسی
نفوذپذیری مغناطیسی نسبی
ثابت انتشار
ضخامت ورقه هسته
بخش حقیقی نفوذپذیری
بخش حقیقی نفوذپذیری
امپدانس سیم­پیچ با هسته هوایی
مقاومت سیم­پیچ با هسته هوایی
اندوکتانس با هسته هوایی
رلوکتانس کویل فاز X
رلوکتانس پنجره هسته
رلوکتانس مغناطیسی بخش پنجره هسته
شعاع سیم­پیچ i ام
اتفاع بین دو سیم­پیچ
مقاومت پوستی
مقاومت مستقیم
مقاومت مجاورت
رسانایی
عمق نفوذ
ضریب گذردهی الکتریکی خلا

پایان نامه و مقاله

 

ضریب گذردهی نسبی الکتریکی محیط
ارتفاع تغییر یافته سیم­پیچ
شعاع داخلی سیم­پیچ
شعاع خارجی سیم­پیچ
ضریب گذردهی الکتریکی مختلط
تعداد طبقات مدل الکتریکی متمرکز
ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک
ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک
ضخامت هادی در هر دیسک
تعداد دورهای یک دیسک
تعداد دیسک­های ادغام شده
مقاومت سری در مدل متمرکز
مقاومت سری تبدیل شده
کنداکتانس موازی در مدل متمرکز
آنتروپی
آنتروپی نرمالیزه شده
انرژی
انرژی نرمالیزه شده
مرکز ثقل بیضی
فهرست جدول‌ها
عنوان                                         صفحه
جدول ‏3‑1: ماتریس اندوکتانس ترانسفورماتور سه فاز.. 25
جدول ‏3‑2: مقادیر گذردهی الکتریکی مواد در 2محیط روغنی و بیروغن[8].. 33
جدول ‏6‑1: مقادیر نرمالیزه شده ویژگی های مورد استفاده – یک حالت برای هر خطا.. 78
جدول ‏6‑3: مقایسه شش درخت تصمیم.. 86
فهرست شکل‌‌ها
عنوان                                         صفحه
شکل ‏2‑1: میزان تاثیر اجزای ترانسفورماتور در رخداد خطا]2[ 11

یک مطلب دیگر :

 
 

شکل ‏2‑2: شماتیک ترانسفورماتور سه ستونه با اتصال حلقه[37]   13
شکل ‏2‑3: توزیع شار نشتی و نیروهای شعاعی و محوری ایجاد شده توسط آن.. 14
شکل ‏2‑4: برش از بالا- نیروی وارده بر استوانه سیم پیچ.. 14
شکل ‏2‑5: تغییر شکل-سمت راست: Free- سمت چپ: Force. 15
شکل ‏2‑6: جابه جایی محوری سیم پیچ ها نسبت به هم.. 15
شکل ‏2‑7: تغییر فضای بین دو دیسک متوالی.. 16
شکل ‏3‑1: اولین مدل ترانسفورماتور[40].. 17
شکل ‏3‑2: مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور برای فاز X[46] 22
شکل ‏3‑3: مدار مغناطیسی معادل ترانسفورماتور سه فاز.. 24
شکل ‏3‑4: وابستگی مقادیر حقیقی و موهومی نفوذپذیری مغناطیسی به فرکانس.. 26
شکل ‏3‑5: توزیع چگالی شار مغناطیسی در پنجره هسته(از سمت فشارضعیف به طرف فشارقوی)[35].. 28
شکل ‏3‑6: بخشهای iام و jام سیمپیچ.. 28
شکل ‏3‑7: مقاومت کل متغیر با فرکانس سیمپیچ فشارقوی.. 30
شکل ‏3‑8: برش از بالا- نحوه قرارگیری سیم پیچ ها و تانک ترانسفورماتور.. 30
شکل ‏3‑9: خازن استوانهای.. 31
شکل ‏3‑10: سیستم عایقی بین سیم پیچ فشارقوی و فشارضعیف.. 32
شکل ‏3‑11: مدل ساده شده سیستم عایقی.. 32
شکل ‏3‑12: برش بالای استوانه های موازی.. 33
شکل ‏3‑13: هادی استوانه ای در برابر صفحه زمین شده.. 34
شکل ‏3‑14: ظرفیت های خازنی دوربه دور و دیسک به دیسک در سیم پیچی دیسکی[46].. 35
شکل ‏3‑15: یک جفت دیسک سیم پیچ فشارقوی[46].. 36
شکل ‏3‑16: سیستم عایقی ساده شده بین دیسکی[53].. 36
شکل ‏3‑17: مدار ساده شده به منظور محاسبه ظرفیت خازنی سری   37
شکل ‏4‑1: پیکربندی تست نوع اول[52].. 42
شکل ‏4‑2: پیکربندی تست نوع سوم[52].. 43
شکل ‏4‑3: درخت نرمال توصیفی مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور[46].. 44
شکل ‏5‑1: پاسخ فرکانسی برای فازهای A و B در حالت سالم در تست نوع اول.. 50
شکل ‏5‑2: پاسخ فرکانسی برای فازهای A و B در حالت سالم در تست نوع سوم.. 51
شکل ‏5‑3: اثر افزایش فاصله بین دیسکی بر پاسخ فرکانسی.. 53
شکل ‏5‑4: اثر کاهش فاصله بین دیسکی بر پاسخ فرکانسی.. 53
شکل ‏5‑5: اثر افزایش شعاع سیم پیچ فشارقوی بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 54
شکل ‏5‑6: اثر کاهش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 55
شکل ‏5‑7: اثر افزایش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 55
شکل ‏5‑8: اثر افزایش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی بالا.. 56
شکل ‏5‑9: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، تغییر شکل درجه یک و درجه دو.. 58
شکل ‏5‑10: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور تست نوع اول فاز A در حالت سالم، جابه جایی شعاعی درجه یک و درجه دو.. 59
شکل ‏5‑11: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، جابهجایی محوری به میزان 100 میلیمتر در دو جهت بالا و پایین.. 60
شکل ‏5‑12: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، تغییر فضای بین دیسکی در دیسکهای بالایی و میانی به میزان 75 درصد ارتفاع اولیه بین دیسکها.. 61
شکل ‏5‑13: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، اتصال کوتاه ده دور در دیسک اول و ده دور در دیسکهای اول به همراه میانی.. 62
شکل ‏5‑14: دیاگرام ولتاژ- جریان.. 63
شکل ‏5‑15: دیاگرام ولتاژ-جریان برای حالت سالم و دو حالت معیوب با 20 و 30 درصد از دور اتصال کوتاه شده.. 64
شکل ‏6‑1: درخت تصمیم نمونه.. 68
شکل ‏6‑2: فایل متنی برای نرم افزار Weka. 72
شکل ‏6‑3: فلوچارت طبقه بندی.. 76
شکل ‏6‑4: ساختار سه درخت تصمیم متفاوت با ورودی های متفاوت   78
شکل ‏6‑5: درخت تصمیم اول- با هشت ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب   80
شکل ‏6‑6: درخت تصمیم دوم- با دو ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب   81
شکل ‏6‑7: درخت تصمیم سوم- با ده ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب : 82
شکل ‏6‑8: ساختار سه درخت تصمیم متفاوت با ورودی های متفاوت   83

موضوعات: بدون موضوع  لینک ثابت


فرم در حال بارگذاری ...